Galliumnitride blijkt een van de weinige halfgeleiders die je ongestraft in een mens kunt implanteren. Dat opent geheel nieuwe mogelijkheden voor de biomedische wetenschap, schrijven Amerikaanse onderzoekers in het tijdschrift Acta Biomaterialia.

Te denken valt dan vooral aan implantaten waarvoor halfgeleider-eigenschappen essentieel zijn, variërend van sensoren voor in de bloedsomloop tot elektrodes voor neurostimulatie-therapie tegen alzheimer.

Galliumverbindingen worden nu al op grote schaal gebruikt in LED’s. Volgens mede-auteur Albena Ivanisevic (Purdue University/North Carolina State University) ligt de bruikbaarheid van galliumnitride voor implantaten een stuk minder voor de hand. Op zich is het materiaal niet toxisch maar wanneer het oplost kunnen zich galliumoxides vormen die nadrukkelijk wèl toxisch voor de mens zijn.

Ze onderwierp galliumnitride daarom aan een aantal condities die je in het menselijk lichaam mag verwachten, waarbij met een massaspectrometrische techniek werd gekeken hoeveel galliumionen er uit vrijkwamen. Die hoeveelheid blijkt minimaal, zelfs in aanwezigheid van waterstofperoxide. Conclusie: er kan waarschijnlijk niets gebeuren.

Dat wordt bevestig d door proefjes waarbij men cellen liet groeien in de aanwezigheid van GaN. Die cellen hadden er niet merkbaar last van.

Ook is geprobeerd in hoeverre GaN zichzelf aan menselijke cellen kan binden. Dat blijkt al te lukken wanneer je het oppervlak een beetje opruwt dor het te etsen, maar het gaat nog beter wanneer je het nitride van tevoren coat met een peptide genaamd IKVAV.

Ivanisevic vermoedt dat het ook mogelijk meot zijn om een peptidecoating te bedenken die cellen juist afstoot. Daarme zou je kunnen bereiken dat een geïmplanteerde sensor niet meteen dichtgroeit.

bron: North Carolina State University