Mild oxidatieproces kan energieverbruik van de halfgeleiderindustrie verminderen

UV-licht met een golflengte van 126 nm, afkomstig uit een argonbuis, blijkt in staat om een siliciumoppervlak snel te oxideren. Dit komt doordat het licht zuurstofmoleculen opbreekt in radicalen, die vervolgens het silicium aanvallen.

De omzetting van silicium in siliciumdioxide is een belangrijke productiestap bij de fabricage van microprocessoren en andere halfgeleidercomponenten. Het is namelijk de gemakkelijkste manier om een isolerende laag in zo’n chip te krijgen.

Bij kamertemperatuur verloopt het oxidatieproces echter veel te traag. Tot nu toe laat men het oxidelaagje daarom groeien door de chip te verhitten in een oven bij zo’n 1.000 graden Celsius. Dat kost veel energie, en der kans bestaat dat eerder op de chip aangebrachte schakelelementen vervormen door de hitte.

Voordeel van de verhitting is wel dat defecten in het silicium-kristalrooster er effectief uit worden gegloeid. Deskundigen vragen zich dan ook af of de koude’ UV-behandeling, waarbij dit per definitie niet gebeurt, in de praktijk wel bruikbare chips zal opleveren.

bron: BBC News